Большая советсткая энциклопедия Фосфиды

Фосфиды

Фосфиды, соединения фосфора с металлами, а также с неметаллами, более электроположительными, чем фосфор (В, Si, As и т.п.). Ф. непереходных металлов, а также металлов подгруппы меди, имеющие состав Me₃P и Me₂P₅ для щелочных металлов, Me₃P₂ для щёлочноземельных, Me₃P и MeP₂ для металлов подгруппы меди (где Me – металл), – ионные, солеподобные соединения. Ф. щелочных и щёлочноземельных металлов легко разлагаются водой и разбавленными кислотами с выделением фосфина. Ф. щёлочноземельных металлов и металлов подгруппы меди термически неустойчивы; при относительно высоких содержаниях фосфора эти Ф. обладают полупроводниковыми свойствами. Ф. переходных металлов (например, CrP, MoP, TiP и др.), в том числе лантаноидов и актиноидов (LaP, PuP, U₃P₄ и др.), химически устойчивы, не разлагаются водой и разбавленными кислотами; по физическим свойствам близки либо к полупроводникам (UP, NbP, MnP и др.), либо к металлам (TiP, ZrP и др.). Ф. бора, алюминия, индия представляют собой ковалентные соединения, тугоплавкие, обладающие полупроводниковыми свойствами. Имеются среди Ф. летучие молекулярные соединения (например, соединения с серой, селеном, теллуром).

Ф. образуются в результате синтеза из элементов при температурах 600–1200 °С в вакууме или в атмосфере инертных газов; при взаимодействии фосфина с металлами и неметаллами или с их окислами; в результате обменных реакций фосфина с галогенидами или сульфидами (например, B₂S₃ + 2PH₃ = 2BP + 3H₂S); при восстановлении фосфатов металлов углеродом при высоких температурах.

Наибольшее значение имеет применение ряда Ф. (InP, GaP) в качестве полупроводниковых материалов. Ф. цинка используется как яд для борьбы с грызунами. Ф. вводят в состав некоторых сплавов цветных металлов (например, фосфористых бронз) для раскисления и улучшения антифрикционных свойств. Склонность некоторых Ф. разлагаться с выделением самовоспламеняющихся на воздухе фосфинов используется в пиротехнике для приготовления сигнальных средств.

Лит. см. при ст. Фосфор.

Л. В. Кубасова.