Ганна диод
Ганна диод, полупроводниковый прибор, работа которого основана на Ганна эффекте. Основным элементом Г. д. является полупроводниковый кристалл из арсенида галлия, фосфида индия или др. толщиной от единиц до сотен мкм, к которому присоединены 2 омических контакта. Удельное электрическое сопротивление кристалла — от -~ 0,001 до ~0,01 ом- м. Эффект Ганна в нём возникает при достижении "критической" напряжённости поля (в арсениде галлия около 300 кв/м). Для создания промышленных Г. д. используют арсенид галлия. Г. д. применяют для усиления и генерирования электрических колебаний мощностью порядка нескольких квт (в импульсном режиме) и сотен мвт (в непрерывном режиме) на частотах от ~0,1 до ~100 Ггц, а также для создания быстродействующих логических и функциональных элементов электронных устройств.
Следующие
Ганна эффект, явление генерации высокочастотных колебаний электрического тока j в полупроводнике, у которого объемная вольтампер… читать дальше
Ганнибал Абрам (Ибрагим) Петрович [около 1697, Лагон, Северная Эфиопия, — 14.5.1781, Суйда, ныне Ленингр. обл.], русский военный… читать дальше
Ганнибал, Аннибал Барка (Hannibal Barca) (247 или 246 до н. э., Карфаген, — 183 до н. э., Вифиния), карфагенский полководец и го… читать дальше
